大家好，今天小編關注到一個比較有意思的話題，就是關于固態(tài)硬盤和內存條的問題，于是小編就整理了5個相關介紹固態(tài)硬盤和內存條的解答，讓我們一起看看吧。
固態(tài)硬盤和內存條哪個好？
內存條好
首先，CPU的運算離不開內存條的支持，因為CPU在運算任何數(shù)據時都需要“借用或調用”內存條容量作為運算空間，內存條可提供的內存容量越多，那CPU運算空間就越大，CPU運算數(shù)據的速度也就越快。
內存條，和固態(tài)硬盤的區(qū)別？
1. 存儲介質不同：內存條使用的是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），是暫時存儲數(shù)據用的，斷電會導致數(shù)據丟失；而固態(tài)硬盤使用的是閃存芯片，可以永久存儲數(shù)據。
2. 功能不同：內存條是計算機進行操作時使用的，如運行程序、存儲臨時數(shù)據等；而固態(tài)硬盤是計算機存儲數(shù)據用的，如操作系統(tǒng)、應用程序、多媒體文件等。
3. 使用場景不同：內存條適用于對計算機操作速度有高要求的場景，如游戲、圖形處理、視頻制作等；而固態(tài)硬盤適用于對存儲空間有高要求的場景，如工作文檔、大型媒體文件存儲等。
4. 價格不同：相同容量的固態(tài)硬盤價格通常高于內存條。
固態(tài)硬盤和內存條有什么區(qū)別，固態(tài)硬盤和內存的區(qū)別有以下幾點。
一，從電腦中的作用來看，固態(tài)硬盤是永久存儲數(shù)據設備，內存是臨時存儲設備。
二，從讀寫的速度來看，固態(tài)硬盤的讀寫速度還遠遠的小于內存的讀寫速度。
三，從內部結構來看，固態(tài)硬盤的存儲芯片和內存的芯片完全不同。
固態(tài)硬盤。和加內存條是不是就是一樣的？
不是，雖然都是存儲器，二者是兩個不同概念的硬件，可以說是完全不同的兩種硬件，固態(tài)硬盤是SSD，是使用電子存儲器做的硬盤，掉電下也可以保存數(shù)據。
系統(tǒng)都有虛擬內存存儲區(qū)，放置內存中不常用的臨時文件。
內存，是程序運行在內存中運行，一旦斷電，內存中的數(shù)據就消失了。
內存也可以通過軟件，虛擬硬盤，保存在虛擬硬盤的程序，可以高速運行，當然掉電后，數(shù)據也沒有了。
內存條，和固態(tài)硬盤的區(qū)別？
區(qū)別有下面幾處
1 存儲器類型不同。內存屬于易失性介質斷電數(shù)據全部丟失，固態(tài)硬盤斷電狀態(tài)也能保存數(shù)據。
2 接口類型不同，內存形式有SDRAM RDRAM DDRRAM 都是金手指插槽形式。固態(tài)硬盤有SATA M2 PCIE 既有插槽也有數(shù)據線接口。
3 速度不一樣 最新DDR5內存速度可以達到90GB/s的讀寫速度，固態(tài)硬盤最塊的pcie5最高速度在10GB/s。內存速度遠高于固態(tài)硬盤。
首先用途不同，固態(tài)硬盤是存儲設備，而內存條是中專設備；其次對于存儲方面，固態(tài)硬盤在斷電后存儲在其內部的數(shù)據不會丟失，而內存條在斷電后再開機數(shù)據就沒有了；
最后外觀方面，固態(tài)硬盤是一塊長方體狀的設備，而內存條是一個長條形的設備。
1，最大的區(qū)別是固態(tài)硬盤是用來存儲數(shù)據的，不會輕易丟失。內存條則是用來暫時讀寫數(shù)據的，斷電之后，數(shù)據就會消失。
2，內存條和固態(tài)硬盤的組成顆粒還不一樣，3，他們所能存儲數(shù)據的大小也不一樣
一，從電腦中的作用來看，固態(tài)硬盤是永久存儲數(shù)據設備，內存是臨時存儲設備。
二，從讀寫的速度來看，固態(tài)硬盤的讀寫速度還遠遠的小于內存的讀寫速度。
三，從內部結構來看，固態(tài)硬盤的存儲芯片和內存的芯片完全不同。
固態(tài)硬盤和內存條有什么區(qū)別？
這個問題需要從技術層面入手才能回答清楚、說透本質，講速度、內部結構只能觸及皮毛。固態(tài)硬盤的正式名稱叫閃存（Flash Memory），是非易失性存儲器的一種，內存條的正式名稱叫隨機動態(tài)存儲器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為DRAM），屬于易失性存儲器。兩者雖然都是半導體存儲器，但原理卻完全不同。
內存的基本單元叫DRAM CELL，都是由一個晶體管（Transistor）和兩個電容器（Capacitor）組成，原理結構如下圖。
電容器充電時，對應的DRAM CELL的邏輯狀態(tài)是“1”，電容器放電之后，對應的DRAM CELL邏輯狀態(tài)是“0”。簡單說，DRAM CELL單元的數(shù)據讀寫操作就是不停操縱電容充放電。但是，如果沒有外部電源為電容持續(xù)充電，電容就會失去存儲電荷，從而丟掉存儲的數(shù)據。
DRAM原型件（上圖）。下圖為DRAM的發(fā)明人羅伯特.登納德，IBM的科學家。
固態(tài)硬盤（Flash Memory）的技術原理和DRAM不同，采用的是“浮柵”存儲數(shù)據，原理圖見下。
Flash Memory是東芝公司的藤尾增岡在1980年發(fā)明，屬于第五代非易失性存儲器。
固態(tài)硬盤（Flash Memory）雖然也是通過存儲電荷完成數(shù)據“寫入”，但是由于不是采用電容存儲電荷，斷電之后并不會馬上失去電荷，所以可以長久存儲數(shù)據。
總之，內存（DRAM）斷電后會失去存儲的數(shù)據，固態(tài)硬盤（Flash Memory）則不會，這是它們最本質的區(qū)別。其次，在數(shù)據獨寫速度上，內存遠遠超過固態(tài)硬盤。
不過，存儲數(shù)據的固態(tài)硬盤如果長期不用，也容易丟失數(shù)據，需要時不時拿出來插入電腦，以免數(shù)據丟失。
原創(chuàng)回答，搬運必究。
到此，以上就是小編對于固態(tài)硬盤和內存條的問題就介紹到這了，希望介紹關于固態(tài)硬盤和內存條的5點解答對大家有用。
